0 0 0
  8. FDB045AN08A0

Транзисторы с каналом N SMD FDB045AN08A0

 
FDB045AN08A0
 
ONSEMI
Артикул: 076007
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 90А; 310Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
243.06 грн
5+
215.88 грн
6+
186.37 грн
15+
176.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 40 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
90А(1479466)
Сопротивление в открытом состоянии
8,4мОм(1479402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
138нC(1632957)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,59 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB045AN08A0
ONSEMI
Артикул: 076007
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 90А; 310Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
243.06 грн
5+
215.88 грн
6+
186.37 грн
15+
176.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 40 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
90А
Сопротивление в открытом состоянии
8,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
138нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,59 g