0 0 0
  8. FDB070AN06A0

Транзисторы с каналом N SMD FDB070AN06A0

 
FDB070AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 076008
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 175Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
216.21 грн
5+
192.88 грн
6+
166.43 грн
17+
157.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 18 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
175Вт(1702078)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
66нC(1512593)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,648 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB070AN06A0
ONSEMI
Артикул: 076008
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 175Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
216.21 грн
5+
192.88 грн
6+
166.43 грн
17+
157.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 18 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
175Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
66нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,648 g