0 0 0
  8. FDB088N08

Транзисторы с каналом N SMD FDB088N08

 
FDB088N08
 
ONSEMI
Артикул: 481352
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 60А; Idm: 340А; 160Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
176.67 грн
5+
156.53 грн
8+
120.88 грн
22+
114.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
8,8мОм(1479486)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
160Вт(1701927)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
118нC(1693690)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
340А(1758575)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB088N08
ONSEMI
Артикул: 481352
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 60А; Idm: 340А; 160Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
176.67 грн
5+
156.53 грн
8+
120.88 грн
22+
114.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
8,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
160Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
118нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
340А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g