0 0 0
  8. FDB13AN06A0

Транзисторы с каналом N SMD FDB13AN06A0

 
FDB13AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 076009
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 62А; 115Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
132.01 грн
5+
118.04 грн
9+
110.27 грн
25+
104.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
62А(1479409)
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм(1441517)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
115Вт(1702082)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
29нC(1479212)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,619 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB13AN06A0
ONSEMI
Артикул: 076009
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 62А; 115Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
132.01 грн
5+
118.04 грн
9+
110.27 грн
25+
104.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
62А
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
115Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
29нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,619 g