0 0 0
  8. FDB33N25TM

Транзисторы с каналом N SMD FDB33N25TM

 
FDB33N25TM
 
ONSEMI
Артикул: 076017
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
135.12 грн
5+
118.81 грн
10+
102.50 грн
27+
97.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 659 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
94мОм(1609998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
235Вт(1742117)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Технология
UniFET™(1632958)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,885 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB33N25TM
ONSEMI
Артикул: 076017
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
135.12 грн
5+
118.81 грн
10+
102.50 грн
27+
97.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 659 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
94мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
235Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
48нC
Технология
UniFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,885 g