0 0 0
  8. FDB3652

Транзисторы с каналом N SMD FDB3652

 
FDB3652
 
ONSEMI
Артикул: 076019
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 61А; 150Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
134.34 грн
5+
119.59 грн
10+
102.50 грн
27+
97.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 781 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
61А(1479406)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
53нC(1479049)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,858 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB3652
ONSEMI
Артикул: 076019
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 61А; 150Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
134.34 грн
5+
119.59 грн
10+
102.50 грн
27+
97.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 781 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
61А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
53нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,858 g