0 0 0
  8. FDB52N20TM

Транзисторы с каналом N SMD FDB52N20TM

 
FDB52N20TM
 
ONSEMI
Артикул: 076021
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
152.98 грн
5+
135.90 грн
9+
117.26 грн
23+
111.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
52А(1599488)
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм(1625136)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
357Вт(1740831)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
63нC(1479469)
Технология
UniFET™(1632958)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,731 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB52N20TM
ONSEMI
Артикул: 076021
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
152.98 грн
5+
135.90 грн
9+
117.26 грн
23+
111.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
52А
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
357Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
63нC
Технология
UniFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,731 g