0 0 0
  8. FDB8896

Транзисторы с каналом N SMD FDB8896

 
FDB8896
 
ONSEMI
Артикул: 524516
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; 80Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.89 грн
5+
66.74 грн
18+
55.62 грн
49+
52.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
9,4мОм(1479219)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
80Вт(1701921)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
67нC(1643344)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB8896
ONSEMI
Артикул: 524516
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; 80Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.89 грн
5+
66.74 грн
18+
55.62 грн
49+
52.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
9,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
80Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
67нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g