Транзисторы с каналом N SMD FDC2612

 
FDC2612
 
Артикул: 1169012
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
37.10 грн
25+
32.26 грн
35+
27.81 грн
97+
26.22 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
1,1А(1492262)
Сопротивление в открытом состоянии
1,43Ом(1632963)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDC2612
ONSEMI
Артикул: 1169012
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
37.10 грн
25+
32.26 грн
35+
27.81 грн
97+
26.22 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
1,1А
Сопротивление в открытом состоянии
1,43Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g