0 0 0
  8. FDC5614P

Транзисторы с каналом P SMD FDC5614P

 
FDC5614P
 
ONSEMI
Артикул: 140640
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
32.65 грн
25+
28.38 грн
50+
19.75 грн
138+
18.66 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 4161 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDC5614P
ONSEMI
Артикул: 140640
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
32.65 грн
25+
28.38 грн
50+
19.75 грн
138+
18.66 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 4161 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
24нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g