Транзисторы с каналом P SMD FDC606P

 
FDC606P
 
Артикул: 140642
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
52.82 грн
25+
47.67 грн
27+
36.90 грн
74+
34.87 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
53мОм(1599741)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,184 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDC606P
ONSEMI
Артикул: 140642
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
52.82 грн
25+
47.67 грн
27+
36.90 грн
74+
34.87 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
53мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,184 g