Транзисторы с каналом P SMD FDC610PZ

 
FDC610PZ
 
Артикул: 140644
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,9А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
39.01 грн
55+
18.02 грн
151+
17.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2534 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4,9А(1479058)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDC610PZ
ONSEMI
Артикул: 140644
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,9А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
39.01 грн
55+
18.02 грн
151+
17.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2534 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4,9А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g