0 0 0
  1. Главная
  2. Продукция
  3. Полупроводники
  4. Транзисторы
  5. Транзисторы униполярные
  6. Транзисторы многоканальные
  7. FDC6305N

Транзисторы многоканальные FDC6305N

 
FDC6305N
 
ONSEMI
Артикул: 000221
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.02 грн
10+
51.33 грн
49+
24.67 грн
133+
23.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 167 шт.
Срок поставки:  10-21днів
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
128мОм(1713748)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,96Вт(1741917)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5нC(1609811)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы многоканальные FDC6305N
Транзисторы многоканальные FDC6305N
ONSEMI
Артикул: 000221
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.02 грн
10+
51.33 грн
49+
24.67 грн
133+
23.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 167 шт.
Срок поставки:  10-21днів
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
128мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g