Транзисторы многоканальные FDC6312P

 
FDC6312P
 
Артикул: 390115
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
46.05 грн
48+
20.84 грн
132+
19.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1405 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2,3А(1479077)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,96Вт(1741917)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы многоканальные FDC6312P
ONSEMI
Артикул: 390115
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
46.05 грн
48+
20.84 грн
132+
19.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1405 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g