0 0 0
  7. FDC6318P

Транзисторы многоканальные FDC6318P

 
FDC6318P
 
ONSEMI
Артикул: 000223
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
44.17 грн
25+
38.59 грн
29+
33.32 грн
79+
31.54 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2906 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-2,5А(1492293)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,96Вт(1741917)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g
 
Транзисторы многоканальные FDC6318P
ONSEMI
Артикул: 000223
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
44.17 грн
25+
38.59 грн
29+
33.32 грн
79+
31.54 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2906 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g