Транзисторы многоканальные FDC6321C

 
FDC6321C
 
Артикул: 000224
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
38.74 грн
25+
26.11 грн
47+
20.69 грн
128+
19.61 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1560 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
25/-25В(1596054)
Ток стока
0,68/-0,46А(1996944)
Сопротивление в открытом состоянии
720/1220мОм(1713733)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,9Вт(1742026)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,3/1,5нC(1632991)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы многоканальные FDC6321C
ONSEMI
Артикул: 000224
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
38.74 грн
25+
26.11 грн
47+
20.69 грн
128+
19.61 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1560 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
25/-25В
Ток стока
0,68/-0,46А
Сопротивление в открытом состоянии
720/1220мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,3/1,5нC
Технология
PowerTrench®
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g