0 0 0
  8. FDC638APZ

Транзисторы с каналом P SMD FDC638APZ

 
FDC638APZ
 
ONSEMI
Артикул: 140646
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
41.35 грн
55+
18.18 грн
151+
17.16 грн
1000+
16.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
72мОм(1520449)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDC638APZ
ONSEMI
Артикул: 140646
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
41.35 грн
55+
18.18 грн
151+
17.16 грн
1000+
16.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
72мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g