0 0 0
  7. FDC6401N

Транзисторы многоканальные FDC6401N

 
FDC6401N
 
ONSEMI
Артикул: 000226
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
40.84 грн
25+
31.77 грн
40+
24.23 грн
109+
22.91 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2603 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
106мОм(1713735)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,96Вт(1741917)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,6нC(1609769)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы многоканальные FDC6401N
ONSEMI
Артикул: 000226
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
40.84 грн
25+
31.77 грн
40+
24.23 грн
109+
22.91 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2603 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
106мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,6нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g