0 0 0
  8. FDC655BN

Транзисторы с каналом N SMD FDC655BN

 
FDC655BN
 
ONSEMI
Артикул: 076029
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.34 грн
78+
13.02 грн
214+
12.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6,3А(1479155)
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDC655BN
ONSEMI
Артикул: 076029
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.34 грн
78+
13.02 грн
214+
12.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6,3А
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g