0 0 0
  7. FDC6561AN

Транзисторы многоканальные FDC6561AN

 
FDC6561AN
 
ONSEMI
Артикул: 000229
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
26.81 грн
25+
25.34 грн
50+
19.37 грн
137+
18.29 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 2615 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,5А(1441399)
Сопротивление в открытом состоянии
152мОм(1713736)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,96Вт(1741917)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,2нC(1610016)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы многоканальные FDC6561AN
ONSEMI
Артикул: 000229
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
26.81 грн
25+
25.34 грн
50+
19.37 грн
137+
18.29 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 2615 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
152мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,2нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g