0 0 0
  8. FDC658AP

Транзисторы с каналом P SMD FDC658AP

 
FDC658AP
 
ONSEMI
Артикул: 964400
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
42.90 грн
48+
20.66 грн
132+
19.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2921 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
8,1нC(1479223)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDC658AP
ONSEMI
Артикул: 964400
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
42.90 грн
48+
20.66 грн
132+
19.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2921 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
8,1нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g