0 0 0
  8. FDC855N

Транзисторы с каналом N SMD FDC855N

 
FDC855N
 
ONSEMI
Артикул: 524518
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,1А; Idm: 20А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.28 грн
5+
38.71 грн
25+
29.31 грн
43+
23.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6,1А(1492356)
Сопротивление в открытом состоянии
39,3мОм(1887979)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDC855N
ONSEMI
Артикул: 524518
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,1А; Idm: 20А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.28 грн
5+
38.71 грн
25+
29.31 грн
43+
23.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6,1А
Сопротивление в открытом состоянии
39,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g