0 0 0
  8. FDC8886

Транзисторы с каналом N SMD FDC8886

 
FDC8886
 
ONSEMI
Артикул: 543248
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,5А; Idm: 25А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.46 грн
25+
23.04 грн
57+
17.72 грн
155+
16.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6,5А(1479157)
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,4нC(1479204)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
25А(1742151)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDC8886
ONSEMI
Артикул: 543248
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,5А; Idm: 25А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.46 грн
25+
23.04 грн
57+
17.72 грн
155+
16.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6,5А
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,4нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g