0 0 0
  8. FDD10AN06A0

Транзисторы с каналом N SMD FDD10AN06A0

 
FDD10AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 076030
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 135Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
138.76 грн
5+
119.38 грн
10+
99.23 грн
27+
93.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1836 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
135Вт(1702216)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,6нC(1609769)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,384 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD10AN06A0
ONSEMI
Артикул: 076030
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 135Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
138.76 грн
5+
119.38 грн
10+
99.23 грн
27+
93.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1836 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
135Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,6нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,384 g