0 0 0
  8. FDD14AN06LA0-F085

Транзисторы с каналом N SMD FDD14AN06LA0-F085

 
FDD14AN06LA0-F085
 
ONSEMI
Артикул: 524522
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 125Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.00 грн
5+
77.28 грн
16+
64.91 грн
42+
61.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD14AN06LA0-F085
ONSEMI
Артикул: 524522
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 125Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.00 грн
5+
77.28 грн
16+
64.91 грн
42+
61.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
32нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g