0 0 0
  8. FDD306P

Транзисторы с каналом P SMD FDD306P

 
FDD306P
 
ONSEMI
Артикул: 140651
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,7А; 52Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.96 грн
5+
56.91 грн
24+
42.76 грн
65+
40.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 787 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-6,7А(1479042)
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
52Вт(1507407)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,399 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDD306P
ONSEMI
Артикул: 140651
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,7А; 52Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.96 грн
5+
56.91 грн
24+
42.76 грн
65+
40.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 787 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-6,7А
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
52Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,399 g