0 0 0
  8. FDD6680AS

Транзисторы с каналом N SMD FDD6680AS

 
FDD6680AS
 
ONSEMI
Артикул: 524526
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 55А; Idm: 100А; 60Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.98 грн
5+
47.42 грн
25+
42.68 грн
28+
36.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
55А(1441569)
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм(1479178)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
29нC(1479212)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD6680AS
ONSEMI
Артикул: 524526
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 55А; Idm: 100А; 60Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.98 грн
5+
47.42 грн
25+
42.68 грн
28+
36.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
55А
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
29нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g