0 0 0
  8. FDD6N20TM

Транзисторы с каналом N SMD FDD6N20TM

 
FDD6N20TM
 
ONSEMI
Артикул: 532666
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,7А; Idm: 18А; 40Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.69 грн
5+
34.62 грн
25+
30.60 грн
38+
26.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,1нC(1479080)
Технология
UniFET™(1632958) DMOS(1605573)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
18А(1741667)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD6N20TM
ONSEMI
Артикул: 532666
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,7А; Idm: 18А; 40Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.69 грн
5+
34.62 грн
25+
30.60 грн
38+
26.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,1нC
Технология
UniFET™
Технология
DMOS
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g