0 0 0
  8. FDD850N10L

Транзисторы с каналом N SMD FDD850N10L

 
FDD850N10L
 
ONSEMI
Артикул: 389952
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.59 грн
5+
63.53 грн
20+
49.24 грн
55+
46.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2427 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
11,1А(1604786)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,398 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD850N10L
ONSEMI
Артикул: 389952
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.59 грн
5+
63.53 грн
20+
49.24 грн
55+
46.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2427 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
11,1А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,398 g