0 0 0
  8. FDD86102LZ

Транзисторы с каналом N SMD FDD86102LZ

 
FDD86102LZ
 
ONSEMI
Артикул: 076047
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
102.33 грн
5+
90.70 грн
14+
69.77 грн
39+
65.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1657 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм(1441515)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
54Вт(1608403)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
26нC(1479074)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,404 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD86102LZ
ONSEMI
Артикул: 076047
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
102.33 грн
5+
90.70 грн
14+
69.77 грн
39+
65.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1657 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
54Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
26нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,404 g