0 0 0
  8. FDD86367

Транзисторы с каналом N SMD FDD86367

 
FDD86367
 
ONSEMI
Артикул: 532668
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 227Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
138.98 грн
5+
125.48 грн
10+
99.27 грн
28+
93.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1840 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
8,4мОм(1479402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
227Вт(1741842)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
88нC(1479485)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,39 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD86367
ONSEMI
Артикул: 532668
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 227Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
138.98 грн
5+
125.48 грн
10+
99.27 грн
28+
93.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1840 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
8,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
227Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
88нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,39 g