0 0 0
  8. FDD86567-F085

Транзисторы с каналом N SMD FDD86567-F085

 
FDD86567-F085
 
ONSEMI
Артикул: 524529
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 227Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.82 грн
5+
135.74 грн
10+
108.75 грн
26+
102.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
6мОм(1441530)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
227Вт(1741842)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
82нC(1479300)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD86567-F085
ONSEMI
Артикул: 524529
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 227Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.82 грн
5+
135.74 грн
10+
108.75 грн
26+
102.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
227Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
82нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g