0 0 0
  8. FDD8770

Транзисторы с каналом N SMD FDD8770

 
FDD8770
 
ONSEMI
Артикул: 532669
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 210А; Idm: 407А; 115Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
47.51 грн
25+
41.95 грн
28+
36.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
210А(1479574)
Сопротивление в открытом состоянии
5,9мОм(1479478)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
115Вт(1702082)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
73нC(1479024)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
407А(1898265)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD8770
ONSEMI
Артикул: 532669
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 210А; Idm: 407А; 115Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
47.51 грн
25+
41.95 грн
28+
36.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
210А
Сопротивление в открытом состоянии
5,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
115Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
73нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
407А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g