Транзисторы с каналом N SMD FDD8896

 
FDD8896
 
Артикул: 076049
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 94А; 80Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.75 грн
5+
53.57 грн
23+
41.68 грн
63+
39.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2453 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
94А(1479473)
Сопротивление в открытом состоянии
9,2мОм(1479463)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
80Вт(1701921)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,402 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD8896
ONSEMI
Артикул: 076049
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 94А; 80Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.75 грн
5+
53.57 грн
23+
41.68 грн
63+
39.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2453 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
94А
Сопротивление в открытом состоянии
9,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
80Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
60нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,402 g