Транзисторы многоканальные FDG6301N-F085

 
FDG6301N-F085
 
Артикул: 389958
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.78 грн
25+
14.14 грн
91+
10.90 грн
250+
10.28 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
0,22А(1632940)
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом(1441589)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDG6301N-F085
ONSEMI
Артикул: 389958
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.78 грн
25+
14.14 грн
91+
10.90 грн
250+
10.28 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
0,22А
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g