0 0 0
  7. FDG6301N

Транзисторы многоканальные FDG6301N

 
FDG6301N
 
ONSEMI
Артикул: 000232
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
20.61 грн
25+
16.89 грн
69+
14.04 грн
188+
13.27 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 155 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
0,22А(1632940)
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом(1441589)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,4нC(1632941)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы многоканальные FDG6301N
ONSEMI
Артикул: 000232
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
20.61 грн
25+
16.89 грн
69+
14.04 грн
188+
13.27 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 155 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
0,22А
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,4нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g