0 0 0
  7. FDG6308P

Транзисторы многоканальные FDG6308P

 
FDG6308P
 
ONSEMI
Артикул: 000235
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,6А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.15 грн
25+
18.36 грн
69+
14.03 грн
188+
13.25 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,6А(1635019)
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,5нC(1632945)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы многоканальные FDG6308P
ONSEMI
Артикул: 000235
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,6А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.15 грн
25+
18.36 грн
69+
14.03 грн
188+
13.25 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,5нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g