0 0 0
  7. FDG6321C

Транзисторы многоканальные FDG6321C

 
FDG6321C
 
ONSEMI
Артикул: 000236
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
32.78 грн
25+
20.77 грн
61+
15.92 грн
166+
15.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2791 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
25/-25В(1596054)
Ток стока
0,5/-0,41А(1996943)
Сопротивление в открытом состоянии
720/1800мОм(1713739)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,3/1,5нC(1632991)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g
 
Транзисторы многоканальные FDG6321C
ONSEMI
Артикул: 000236
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
32.78 грн
25+
20.77 грн
61+
15.92 грн
166+
15.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2791 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
25/-25В
Ток стока
0,5/-0,41А
Сопротивление в открытом состоянии
720/1800мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,3/1,5нC
Технология
PowerTrench®
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g