0 0 0
  7. FDG6322C

Транзисторы многоканальные FDG6322C

 
FDG6322C
 
ONSEMI
Артикул: 000237
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
33.57 грн
25+
19.85 грн
64+
15.25 грн
176+
14.42 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2841 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
25/-25В(1596054)
Ток стока
0,22/-0,41А(1996942)
Сопротивление в открытом состоянии
7/1,9Ом(1633002)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,4/1,5нC(1633003)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы многоканальные FDG6322C
ONSEMI
Артикул: 000237
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
33.57 грн
25+
19.85 грн
64+
15.25 грн
176+
14.42 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2841 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
25/-25В
Ток стока
0,22/-0,41А
Сопротивление в открытом состоянии
7/1,9Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,4/1,5нC
Технология
PowerTrench®
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g