0 0 0
  1. Главная
  2. Продукция
  3. Полупроводники
  4. Транзисторы
  5. Транзисторы униполярные
  6. Транзисторы многоканальные
  7. FDG6335N

Транзисторы многоканальные FDG6335N

 
FDG6335N
 
ONSEMI
Артикул: 000239
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,7А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.96 грн
10+
42.49 грн
50+
33.01 грн
68+
17.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,7А(1632946)
Сопротивление в открытом состоянии
442мОм(1713741)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,4нC(1632948)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы многоканальные FDG6335N
Транзисторы многоканальные FDG6335N
ONSEMI
Артикул: 000239
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,7А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.96 грн
10+
42.49 грн
50+
33.01 грн
68+
17.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,7А
Сопротивление в открытом состоянии
442мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,4нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g