Транзисторы многоканальные FDG8850NZ

 
FDG8850NZ
 
Артикул: 000240
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,75А; 0,36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
34.88 грн
25+
24.11 грн
53+
18.37 грн
146+
17.36 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,75А(1632949)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,44нC(1609802)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы многоканальные FDG8850NZ
ONSEMI
Артикул: 000240
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,75А; 0,36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
34.88 грн
25+
24.11 грн
53+
18.37 грн
146+
17.36 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,75А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,44нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g