0 0 0
  7. FDMA1027P

Транзисторы многоканальные FDMA1027P

 
FDMA1027P
 
ONSEMI
Артикул: 622826
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3А; Idm: -6А; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.89 грн
10+
38.01 грн
35+
29.12 грн
94+
27.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
0,24Ом(1492482)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6нC(1479087)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-6А(1810531)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDMA1027P
ONSEMI
Артикул: 622826
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3А; Idm: -6А; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.89 грн
10+
38.01 грн
35+
29.12 грн
94+
27.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,24Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g