0 0 0
  7. FDMA2002NZ

Транзисторы многоканальные FDMA2002NZ

 
FDMA2002NZ
 
ONSEMI
Артикул: 516735
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.15 грн
5+
40.66 грн
25+
36.61 грн
35+
28.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,9А(1492567)
Сопротивление в открытом состоянии
268мОм(1880633)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3нC(1609780)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDMA2002NZ
ONSEMI
Артикул: 516735
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.15 грн
5+
40.66 грн
25+
36.61 грн
35+
28.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,9А
Сопротивление в открытом состоянии
268мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g