0 0 0
  8. FDMA291P

Транзисторы с каналом P SMD FDMA291P

 
FDMA291P
 
ONSEMI
Артикул: 140660
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
35.34 грн
25+
31.91 грн
41+
24.42 грн
112+
23.09 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-6,6А(1610020)
Сопротивление в открытом состоянии
98мОм(1479060)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,4Вт(1507584)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14нC(1479029)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDMA291P
ONSEMI
Артикул: 140660
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
35.34 грн
25+
31.91 грн
41+
24.42 грн
112+
23.09 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-6,6А
Сопротивление в открытом состоянии
98мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g