0 0 0
  8. FDMA530PZ

Транзисторы с каналом P SMD FDMA530PZ

 
FDMA530PZ
 
ONSEMI
Артикул: 140662
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.60 грн
5+
48.22 грн
25+
42.83 грн
27+
36.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 638 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-6,8А(1479039)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,4Вт(1507584)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDMA530PZ
ONSEMI
Артикул: 140662
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.60 грн
5+
48.22 грн
25+
42.83 грн
27+
36.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 638 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-6,8А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g