0 0 0
  8. FDMA86108LZ

Транзисторы с каналом N SMD FDMA86108LZ

 
FDMA86108LZ
 
ONSEMI
Артикул: 600629
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,2А; Idm: 6А; 2,4Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.98 грн
5+
62.00 грн
20+
51.54 грн
53+
49.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
2,2А(1501033)
Сопротивление в открытом состоянии
446мОм(1926615)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,4Вт(1507584)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3нC(1609780)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMA86108LZ
ONSEMI
Артикул: 600629
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,2А; Idm: 6А; 2,4Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.98 грн
5+
62.00 грн
20+
51.54 грн
53+
49.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
446мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g