0 0 0
  8. FDMA908PZ

Транзисторы с каналом P SMD FDMA908PZ

 
FDMA908PZ
 
ONSEMI
Артикул: 517618
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А; 2,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.80 грн
5+
28.87 грн
25+
25.48 грн
46+
22.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-12А(1479010)
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм(1479178)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,4Вт(1507584)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-40А(1810549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDMA908PZ
ONSEMI
Артикул: 517618
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А; 2,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.80 грн
5+
28.87 грн
25+
25.48 грн
46+
22.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-12А
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
34нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g