0 0 0
  7. FDMB3800N

Транзисторы многоканальные FDMB3800N

 
FDMB3800N
 
ONSEMI
Артикул: 565116
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,8А; Idm: 9А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.75 грн
20+
50.06 грн
55+
46.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4,8А(1492240)
Сопротивление в открытом состоянии
61мОм(1632974)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,6нC(1609796)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9А(1790201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMB3800N
ONSEMI
Артикул: 565116
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,8А; Idm: 9А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.75 грн
20+
50.06 грн
55+
46.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4,8А
Сопротивление в открытом состоянии
61мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g