0 0 0
  7. FDMB3900AN

Транзисторы многоканальные FDMB3900AN

 
FDMB3900AN
 
ONSEMI
Артикул: 565128
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 7А; Idm: 28А; 1,6Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.54 грн
5+
42.78 грн
25+
37.78 грн
28+
35.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
7А(1441285)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMB3900AN
ONSEMI
Артикул: 565128
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 7А; Idm: 28А; 1,6Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.54 грн
5+
42.78 грн
25+
37.78 грн
28+
35.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
7А
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g