0 0 0
  8. FDMC4D9P20X8

Транзисторы с каналом P SMD FDMC4D9P20X8

 
FDMC4D9P20X8
 
ONSEMI
Артикул: 622754
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -47А; Idm: -335А; 40Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.68 грн
5+
61.70 грн
20+
51.94 грн
54+
48.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-47А(1926703)
Сопротивление в открытом состоянии
16,4мОм(1479190)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
109нC(1757721)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-335А(1926704)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDMC4D9P20X8
ONSEMI
Артикул: 622754
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -47А; Idm: -335А; 40Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.68 грн
5+
61.70 грн
20+
51.94 грн
54+
48.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-47А
Сопротивление в открытом состоянии
16,4мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
109нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-335А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g